Obsah:
Společnost Samsung pokračuje v pokroku ve vývoji čipů, které podstatně zlepšují výkon, optimalizaci energie a samostatnost jejích mobilních terminálů. Z tohoto hlediska právě oznámila, že její inženýři jsou v procesu vývoje nového tří nanometrového čipu postaveného na technologii „Get-all-around“, která nahrazuje současný krimpovací systém FinFET. S tímto novým čipem zabudovaným do tří nanometrů bychom byli svědky skutečného vývoje přizpůsobujícího se novým technologiím umělé inteligence a autonomního řízení.
Čipy o velikosti 3 nanometrů budou využívat polovinu baterie než současné
Pokud porovnáme čip zabudovaný ve třech nanometrech s čipy, o kterých v současné době víme, že jsou vyrobeny v sedmi nanometrech, snížilo by to velikost čipu až o 45%, o 50% nižší spotřebu energie a zvýšení účinnosti o 35%. Nová technologie „Get-all-around“ patentovaná společností Samsung využívá vertikální architekturu nanočástic (dvourozměrná nanostruktura s tloušťkou na stupnici od 1 do 10 nanometrů), což umožňuje větší elektrický proud na baterii ve srovnání se současným procesem FinFET.
V dubnu loňského roku společnost Samsung již sdílela se svými zákazníky první vývojovou sadu pro tento nový čip, čímž zkrátila uvedení na trh a zvýšila konkurenceschopnost svého designu. Právě teď jsou inženýři společnosti Samsung hluboko v oblasti zlepšování výkonu a energetické účinnosti. Pokud nemůžeme vložit baterie, které poslední týdny, budeme muset vylepšit procesory.
Kromě nového čipu zabudovaného do tří nanometrů plánuje společnost Samsung v druhé polovině letošního roku zahájit masovou výrobu procesorů pro zařízení postavená v šesti nanometrech. Proces FinFET, který dokáže shromáždit pět nanometrů, by se měl objevit do konce roku a jeho masová výroba se očekává v první polovině příštího roku. Společnost se navíc v letošním roce také připravuje na vývoj čtyř nanometrových procesorů. V jakém okamžiku se objeví dlouho očekávané čipy zabudované do tří nanometrů? Je ještě příliš brzy na to říct.
